结型场效应管

1. N沟道结型场效应管恒流区 iD 的近似表达式

iD=IDSS(1−uGSUGS(off))2(UGS(off)<uGS<0)(1)*IDSS耗尽型场效应管UGS=0时的漏极电流

P沟道结型场效应管的公式和N沟道类似，注意 IDSS<0,UGS(off)和uGS都不小于0

2. N沟道增强型MOS管恒流区 iD 的近似表达式

iD=IDO(uGSUGS(th)−1)2(2)∗其中IDO是uGS=2UGS(th)时的iD

P沟道和N沟道的 IDO 和 uGS , UGS(th) 方向相反 应用中要考虑体二极管