STM系列 Flash操作

STM系列的Flash操作方法及误操作笔记

1、flash操作方法

1.1 对stm8的flash操作

#define BaseCfgaddr (uint32*)0x4000

/*  * 函数名称    :   WriteAddrToFlash  * 函数功能    :   数据写入Flash  * 输入参数    :  * 输出参数    :   无  * 返 回 值    :   0或1  * 其它说明    :   无  * */ uint8 SYS_WriteDataToFlash(uint8* Data,uint32* addr,uint16Len)   {           if(!Data)       return 0;                /*操作EEPROM，先进行解锁*/       FLASH_DUKR = 0xAE; /* 注意这里不能断点调试，否则会造成内部不同步，FLASH解锁失败*/     FLASH_DUKR = 0x56;       FLASH_CR2 = 0x00;       FLASH_NCR2 = 0xFF;       if(!(FLASH_IAPSR & 0x08)) /* 检测对应的位是否解锁  */     return 0;           memcpy(addr,Data,Len);       FLASH_IAPSR = (ST_UINT8)(~0x08); /* 重新上锁  */      return 1;   } 

按字节操作即每次写入一位

 SYS_WriteDataToFlash(Buf,BaseCfgaddr,WriteCfgSize);

1.2 stm32f的flash操作。

使用stm32f0k4

/*  * 函数名称    :   WriteAddrToFlash  * 函数功能    :   数据写入Flash  * 输入参数    :  * 输出参数    :   无  * 返 回 值    :   0或1  * 其它说明    :                                  写入一个配置，每次写只用某一页开始写，不可一页中从起始地址写之后又从中间地址写入。                               写第二个模块配置时，空间配置从下一页开始写。否则会擦除之前的页，写之前会先擦除该页。  * */ uint8 Sys_WriteDataToFlash(uint8* pData,uint32 Address,uint32 Len)   {           if(!pData)       return 0;       uint32_t SLen = 0;     uint32_t Wdata;      FLASH_Unlock();

    FLASH_ErasePage(Address); // 写之前擦除要写入的整页     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPERR);      /* Clear pending flags (if any) */       do     {         memcpy(&Wdata, pData, 4);//          FLASH_ProgramWord(Address,Wdata);         Address += 4;          pData += 4;         SLen += 4;     }while(SLen<Len);     FLASH_Lock();     return 1; }

/*  * 函数名称    :   Sys_ReadFlashToBuf  * 函数功能    :   从flash中读出数据到buf查看  * 输入参数    :  * 输出参数    :   无 * 返 回 值    :  * 其它说明    :     * */ void Sys_ReadFlashToBuf(uint8* buf,uint32 addr,uint16 len) {     while(len--)     {         *buf = *(uint8*)addr;          addr++;          buf++;     } }

32位机一个字为4个字节，库函数提供两种形式，一种是半字写入另一种是一个字写入，以上使用的是一个字写入的方式

实际操作过程中是将一个结构体内容写入flash，先将该结构体以字节对其，将该结构体指向buf存储，再将该buf按字节写入flash。

读取时将内容读到buf，在将该buf转为结构体，即可准确提取出结构体中定义的值

2、操作中所犯错误及注意点

1、内存地址

      错误：从0x08000000基地址开始操作flash，一执行读写flash，程序就卡死。

      要操作flash的地址，如果程序是存储在main flash memory中开始执行，进入用户程序，我们操作flash就不能从flash基地址开始操作，这部分已经被应用程序占用。

      其操作flash地址值要大于本代码所占用FLASH的大小+0x08000000 

      用户程序代码占用flash大小可从编译时候看出来

        8 394 bytes of readonly  code memory 

       84 bytes of readonly  data memory 

       2 828 bytes of readwrite data memory 

        #define FLASH_BASE_ADDR                       (uint32_t)(0x08000000u)         #define FLASH_STARTADDR_PAGE11    (FLASH_BASE_ADDR + 1024 * 11)

计算可写在第几页，最好的方法是从最后一页开始写，根据手册了解flash大小，页数，勿超出flash大小，否则易出现HardFault_Handler错误

2、将字转换为按字节写入

       错误: 写入的数据与实际的数据值不同

       从cotex-m0的库函数来看，对flash的操作时以字或者半字来操作。实际使用操作多按1个字节操作，造成不对齐。

        uint32_t Wdata; 

        memcpy(&Wdata, pData, 4);//          FLASH_ProgramWord(Address,Wdata);         Address += 4;          pData += 4;         固按以上操作，将4个字节转换为按字写入，统一了使用的所有工程，再将地址按四个字节偏移。

3、宏定义地址

       错误：flash读取时数据出错，内容指向错误。

       SYS_BASE_CFG_T *pCfg = (SYS_BASE_CFG_T *) FLASH_STARTADDR_PAGE11;

       操作是将flash页11的地址读取出来，指向转为结构体SYS_BASE_CFG_T 形式读取数据

       但在读取就出错，程序运行到该句即出现内存操作错误中断产生

        void HardFault_Handler(void)         {              while (1)              {              }         }

        从运行参数上看，当运行到该句，地址指向并不是预先设计好的11页地址

        #define FLASH_STARTADDR_PAGE11    FLASH_BASE_ADDR + 1024 * 11

        由于宏定义加操作没有加括号，导致实际偏移值出现错误。宏定义式子为防错误一定要加括号

         #define FLASH_STARTADDR_PAGE11    (FLASH_BASE_ADDR + 1024 * 11)

4、HardFault_Handler  

        该中断产生的一般条件是内存非法操作，包括数组越界、内存溢出、指针地址错误、野指针存在

        在stm8中当内存非法操作时mcu内部会产生复位，从复位源可查看为非法操作符复位  

5、页大小

        flash操作擦除时可以以页为单位擦除或者以整片flash擦除。

        在使用flash时，如果需要写入两组不同的数据并且在一页以内，建议直接使用一页一组数据，由于内存够大而且防止误操作到其他组数据。

        M3或者M0内核大容量与小容量的flash的页大小有所区别，小容量以1024字节 1k为一页，大容量以2048字节2k 为一页。所以操作具体内存时以

         (FLASH_BASE_ADDR + 1024 * 11)形式，更直观看出数据位置，便于IDE调试查看。

对结构体的flash写入写出

 

uint16 ReadToFlash(uint8 *pCfg) {     CfgInfo.pBaseCfg = (BASE_CFG_T *)pCfg;     return sizeof(BASE_CFG_T); } void ReadAllCfg(void) {     uint8 *pRead = (uint8*)FLASH_STARTADDR_PAGE11; // 转化为unsigned char 按字节操作 32位一次偏移4字节     uint32 CfgLen = 0;          CfgLen = ReadToFlash(pRead );     pRead += CfgLen;     CfgInfo.SysReadCfgSize += CfgLen; }

uint16 WriteToFlash(uint8 *pCfg) {      CfgInfo.pBaseCfg = (BASE_CFG_T *)pCfg;      CfgInfo.pBaseCfg->WriteFlashFlag = CFG_FLASH_FLAG;      CfgInfo.pBaseCfg->FeedWatDogTime = 200;      return sizeof(BASE_CFG_T); } static void WriteAllCfg(void) {     uint8 *pWrite = CfgInfo.CfgBuf;     uint32 CfgLen = 0;          CfgLen = WriteToFlash(pWrite );     pWrite += CfgLen;     CfgInfo.SysWriteCfgSize += CfgLen;     Sys_WriteDataToFlash(CfgInfo.CfgBuf,FLASH_STARTADDR_PAGE11,CfgInfo.SysWriteCfgSize);     Sys_ReadAllCfg();   }  

void Sys_CfgInit(void) {     BASE_CFG_T *pCfg = (BASE_CFG_T *) FLASH_STARTADDR_PAGE11;

 /*在要写入的一个buf的第一位作为写入标志位，程序下次执行到这儿就不再重写，而只是读取这个flash的内容，实现配置的形式操作。*/     if(pCfg->WriteFlashFlag != CFG_FLASH_FLAG) 

    {         /* 写配置到FLASH */         WriteAllCfg();     }     else     {         ReadAllCfg();         memcpy(CfgInfo.CfgBuf, (char *)FLASH_STARTADDR_PAGE11, CfgInfo.SysReadCfgSize);     } }     

typedef __packed  struct  {     uint8             WriteFlashFlag;    /* FLASH写标志 */     uint8             DebugFalg;           /* 调试使用标志 */     uint32           FeedWatDogTime;        }BASE_CFG_T;            /* 系统基本配置 */ typedef __packed  struct {     BASE_CFG_T  *pBaseCfg;       /* 系统基本配置参数 */     uint8            SysWriteCfgSize;     uint8            SysReadCfgSize;         uint8          CfgBuf[SYS_CFG_SIZE]; /* 所有人的配置文件 */ }CFG_INFO_T; /* 配置配置参数的 */

 CFG_INFO_T        CfgInfo;

#define  CFG_FLASH_FLAG (0x57)

以上内容为个人使用过程的方法笔记及个人认为的注意点、知识点.

内容不全面，如之后使用有所补充随时更新。

如您发现有所问题，希望给我意见。