目的：了解总线形式扩展的外设，比如nandflash、norflash、网卡等，了解总线的使用方法之后，再根据具体的外设特性，就可以驱动该外设了。
例子：使用SDRAM
读手册知道前提：主控芯片的引出地址线为addr0-addr26（128M），有八个bank （各有引出信号）所以可以访问的1个g的存储空间。
主控芯片是32位cpu，理论上可以访问4g的地址空间，剩余的用来访问内部的寄存器地址以及未使用。
看图我们知道bank6控制着SDRAM。
sdrom 结构： 可以认为为4层，硬件上要对它进行操作需要以下几步： 1.片选选中sdrom 2.选中哪一层 3.被选中的一层进行 行列寻址。
其中行地址为13位对应于地址空间的bit【23:11】，列地址为9位对应于地址空间的bit【10:2】。LnSRAS、LnSCAS控制着行地址与列地址的选择。
我们来看看这个知道行选列选选择后方可读写，那么我们就可以计算出sdrom每一层的最大取值范围为2^13 = 8M，一片有4层，4*8 = 32M，有两片sdrom 2*32 = 64M。
该存储控制器寄存器的起始地址和结束地址。
下面是存储控制器的寄存器：
位宽和等待控制器寄存器bwscon ，32位 每4位控制着一个bank，bank6由以下4位控制。
对于sdrom，st6为0，对于SRAMst6为1，waw6为0。DW6为01。
bankcon控制寄存器
MT为11，Trcd为01（推荐值），scan 列地址位数01。其他的使用默认值。
刷新控制寄存器。
REFEN【23】为1使能，TREFMD【22】为1，Trp【21:20】为0即可，Tsrc,19:18】11
我们要操作的是mrs6，保守值为0x30。
知道了这些后基本上可以开始编程了。
先介绍几个汇编伪指令：
ldr指令从内存读取到寄存器中，str指令从寄存器读取到内存中，
.text 部分是处理器开始执行代码的地方,指定了后续编译出来的内容放在代码段【可执行】,是arm-gcc编译器的关键词。
.global关键字用来让一个符号对链接器可见，可以供其他链接对象模块使用;告诉编译器后续跟的是一个全局可见的名字【可能是变量，也可以是函数名】
.global _start 让 _start 符号成为可见的标识符，这样链接器就知道跳转到程序中的什么地方并开始执行。
_start是一个函数的起始地址，也是编译、链接后程序的起始地址。由于程序是通过加载器来加载的，必须要找到 _start名字的函数，因此_start必须定义成全局的，以便存在于编译后的全局符合表中，供其它程序【如加载器】寻找到。
Linux寻找这个 _start 标签作为程序的默认进入点。
.equ是一个代码替换指令,类似于C中的#define。
@************************************************************************* @ File：head.S @ 功能：设置SDRAM，将程序复制到SDRAM，然后跳到SDRAM继续执行 @************************************************************************* .equ MEM_CTL_BASE, 0x48000000 @ 定义存储控制器寄 .equ SDRAM_BASE, 0x30000000 .text .global _start _start: bl disable_watch_dog @ 关闭WATCHDOG，否则CPU会不断重启 bl memsetup @ 设置存储控制器 bl copy_steppingstone_to_sdram @ 复制代码到SDRAM中 ldr pc, =on_sdram @ 跳到SDRAM中继续执行 on_sdram: ldr sp, =0x34000000 @ 设置堆栈 bl main halt_loop: b halt_loop disable_watch_dog: @ 往WATCHDOG寄存器写0即可 mov r1, #0x53000000 mov r2, #0x0 str r2, [r1] mov pc, lr @ 返回 copy_steppingstone_to_sdram: @ 将Steppingstone的4K数据全部复制到SDRAM中去 @ Steppingstone起始地址为0x00000000，SDRAM中起始地址为0x30000000 mov r1, #0 ldr r2, =SDRAM_BASE mov r3, #4*1024 1: ldr r4, [r1],#4 @ 从Steppingstone读取4字节的数据，并让源地址加4 str r4, [r2],#4 @ 将此4字节的数据复制到SDRAM中，并让目地地址加4 cmp r1, r3 @ 判断是否完成：源地址等于Steppingstone的未地址？ bne 1b @ 若没有复制完，继续 mov pc, lr @ 返回 memsetup: @ 设置存储控制器以便使用SDRAM等外设 mov r1, #MEM_CTL_BASE @ 存储控制器的13个寄存器的开始地址 adrl r2, mem_cfg_val @ 这13个值的起始存储地址 add r3, r1, #52 @ 13*4 = 54 1: ldr r4, [r2], #4 @ 读取设置值，并让r2加4 str r4, [r1], #4 @ 将此值写入寄存器，并让r1加4 cmp r1, r3 @ 判断是否设置完所有13个寄存器 bne 1b @ 若没有写成，继续 mov pc, lr @ 返回 .align 4 mem_cfg_val: @ 存储控制器13个寄存器的设置值 .long 0x22011110 @ BWSCON .long 0x00000700 @ BANKCON0 .long 0x00000700 @ BANKCON1 .long 0x00000700 @ BANKCON2 .long 0x00000700 @ BANKCON3 .long 0x00000700 @ BANKCON4 .long 0x00000700 @ BANKCON5 .long 0x00018005 @ BANKCON6 .long 0x00018005 @ BANKCON7 .long 0x008C07A3 @ REFRESH .long 0x000000B1 @ BANKSIZE .long 0x00000030 @ MRSRB6 .long 0x00000030 @ MRSRB7
测试代码：
#define GPFCON (*(volatile unsigned long *)0x56000050) #define GPFDAT (*(volatile unsigned long *)0x56000054) #define GPF4_out (1<<(4*2)) #define GPF5_out (1<<(5*2)) #define GPF6_out (1<<(6*2)) void wait(volatile unsigned long dly) { for(; dly > 0; dly--); } int main(void) { unsigned long i = 0; GPFCON = GPF4_out|GPF5_out|GPF6_out; // 将LED1,2,4对应的GPF4/5/6三个引脚设为输出 while(1){ wait(30000); GPFDAT = (~(i<<4)); // 根据i的值，点亮LED1,2,4 if(++i == 8) i = 0; } return 0; }
makefile：
sdram.bin : head.S leds.c arm-linux-gcc -c -o head.o head.S arm-linux-gcc -c -o leds.o leds.c arm-linux-ld -Ttext 0x30000000 head.o leds.o -o sdram_elf arm-linux-objcopy -O binary -S sdram_elf sdram.bin arm-linux-objdump -D -m arm sdram_elf > sdram.dis clean: rm -f sdram.dis sdram.bin sdram_elf *.o
